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N沟道场效应管AON6512

N沟道场效应管AON6512
产品价格：12
更新时间：2017-06-22
产品型号：AON6512
产品品牌：AOS
产品分类：广东电子、电工 > 深圳电子元器件及组件
发布企业：深圳市明佳达电子有限公司
发布 IP：113.90.*.*
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详细介绍

明佳达优势出售N沟道场效应管AON6512    保证原装正品  价格方面实单可详谈

详细参数值：

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：54A（Ta），150A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：64nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3430pF @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：7.4W（Ta），83W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.7 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-DFN（5x6）

封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线

有需求的商友欢迎致电联系我们，型号多的可发送到我们的邮箱上，等待1-2个工作日，由客服人员为您进行报价。

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