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场效应管STL100N10F7

场效应管STL100N10F7
产品价格:10
更新时间:2017-07-06
产品型号:STL100N10F7
产品品牌:ST
产品分类:广东原材料 > 深圳场效应管
发布企业:深圳市明佳达电子有限公司
发布 IP:113.118.*.*
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产品规格:
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5680pF @ 50V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 5W(Ta),100W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 7.3 毫欧 @ 19A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerFlat™(5x6)
封装/外壳 8-PowerVDFN
 
库存优势大量现货货源,支持实单议价,有意者欢迎详谈:
MP4030A
ATTINY261
MST6M30
STI7100
BQ24753
VND600
IRS2004
GT9110
SKY77187-14
LTC3850EUF
SI4825
LTC3850EUF
BL3207
SKY77187-14
FZ1500R33HE3
TS321ILT
BCM4318KFBG
TSM103WAIDT
LTC4263CDE-1
LTC4263
TSM103WAIDT
TAS5613APHDR
EDS-510A
PT308
TAS5508
TPS650731
MX25L8006
24AA64
AT89S52
ATMXT224
PIC16F886
AT89S52
ADUM1402
FSBB20CH60F
FSBB15CH60F
EPA2010
ADIS16488
THGBM5G7A2JBAIR
M12-D
NH82801HBM
AT91SAM7A3
THGBM5G7A2
MPC8280
DAC5688
ADSP-BF527
MPC860PZQ80D4
NH82801HBM

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